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5F001 不揮発性半導体メモリ(H01L29/78)5F040→5F140    
5F002 電界効果トランジスタ(MOSを除く)(H01L29/80)5F102へ変更 1982 
5F003 バイポーラトランジスタH01L29/68-29/72@Z    
5F004 半導体のドライエッチングH01L21/302-21/302,400;21/461リスト微修正(H14)   
5F005 サイリスタH01L29/74-29/747,301    
5F011   5E311へ変更    
5F012   5E312へ変更    
5F013   5E313へ変更    
5F014   5E314へ変更    
5F015   5E315へ変更    
5F017   5E317へ変更    
5F019   5E319へ変更    
5F021   5E321へ変更    
5F022   5E322へ変更    
5F031ウエハ等の容器,移送,固着,位置決め等(H01L21/68-21/68@Z)リスト再作成(H10)、5F131へ変更(H23)19882011 
5F032 部分F素子分離H01L21/70-21/76@Zターム名の変更、付与マニュアルの変更、階層の変更(H16)   
5F033 半導体集積回路装置の内部配線H01L21/88-21/90@Zリスト再作成(H10)、1988年以降に発行された文献を解析対象としている1988  
5F034 FI半導体または固体装置のマウントH01L23/12-23/14@Z     
5F035 FI半導体又は固体完全装置の支持H01L23/32-23/32@ZFI化(H05 1993 
5F036半導体又は固体装置の冷却等(H01L23/34-23/46@Z)5F136へ変更(H16) 2004 
5F037 FI半導体または固体装置の組立体H01L25/00-25/16@Z     
5F038 半導体集積回路H01L27/04-27/04@Z    
5F039 FI本体に特徴のある半導体装置H01L29/00-29/06;29/06,601-29/267;29/30-29/385F139へ分割(H26)    
5F040 絶縁ゲート型電界効果トランジスタ(H01L29/76;29/78-29/78,301@Z)5F140へ変更(H12) 2000 
5F041発光ダイオード(H01L33/00-33/00,450)5F141,5F142へ分割(H23) 2011 
5F042 FI拡散H01L21/22-21/24;21/38-21/40     
5F043 ウェットエッチングH01L21/306-21/308@Z;21/465-21/467    
5F044 部分FボンディングH01L21/447-21/449;21/60-21/607@Z4M105,4M116,5F044,5F062統合(H10)、解析要否変更(H14)   
5F045 気相成長(金属層を除く)H01L21/205;21/31-21/31@Z;21/365;21/469;21/86リスト再作成(H09)、1989年以降に発行された文献を解析対象としている1989  
5F046部分F半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)(H01L21/30-21/30,531@Z;21/30,561-21/30,579;21/46)5F146へ変更(H22) 2010 
5F047 部分FダイボンディングH01L21/52-21/52@Z;21/58    
5F048 MOSIC,バイポーラ・MOSICH01L27/06,102-27/06,331;27/07,102;
27/085-27/092@Z;27/118;27/118,102
ターム名の変更、付与マニュアルの変更(H16)   
5F049受光素子3(フォトダイオード・Tr)(H01L31/10-31/10@Z)リスト再作成(H10)、5F849へ統合(H26) 2014 
5F050 FI圧電、電歪、磁歪装置H01L27/20;41/00-41/47     
5F051光起電力装置(H01L31/04-31/06)5F151へ変更(H21) 2009 
5F052再結晶化技術(H01L21/18-21/20;21/34-21/36;21/84)5F152へ変更(H16) 2004 
5F053 半導体装置を構成する物質の液相成長H01L21/208-21/208@Z;21/368-21/368@Z    
5F054 FIアニールH01L21/26-21/268@Z;21/322-21/326;
21/42-21/428;21/477-21/479
     
5F056 電子ビーム露光H01L21/30,541-21/30,551    
5F057 半導体の機械的処理H01L21/304-21/304,631;21/4635F057へ分割(H15再編)、FIテーマのFターム化(H21)   
5F058 絶縁膜の形成H01L21/312-21/32;21/47-21/475    
5F059 FI半導体装置の製造、組立てH01L21/48-21/50@Z;21/96-21/98     
5F061 半導体または固体装置の封緘、被覆の形成H01L21/56-21/56@Z    
5F062 圧着ボンディング、超音波ボンディング(H01L21/447,21/449,21/603-21/607)5F044に統合(H10)  1998 
5F063 ダイシングH01L21/78-21/80FIテーマのFタームテーマ化(H24)、再解析中   
5F064 ICの設計・製造(配線設計等)H01L21/82-21/82@Z    
5F065 FI半導体容器とその封止H01L21/54;23/00-23/10@Z;23/16-23/26     
5F066 FIダイオードトランジスタのリードフレームH01L23/48-23/48@Z     
5F067 IC用リードフレームH01L23/50-23/50@Z    
5F068 FIチップ間配線H01L23/52-23/54テーマ名変更(H04    
5F069 FI温度補償回路等H01L23/56-23/56@Zテーマ名変更(H04    
5F070 FIメーザH01S1/00-1/06     
5F071 レーザ(1)H01S3/03-3/038@Z;3/097-3/0979;3/104;3/134;3/22-3/227    
5F072レーザ(2)(H01S3/00-3/02;3/04-3/095@Z;3/098-3/102;
3/105-3/131;3/136-3/20@Z;3/23-4/00)
5F172へ変更(H15) 2003 
5F073半導体レーザ(H01S5/00-5/50,630)5F173へ変更(H15) 2003 
5F080 FI三次元集積回路H01L27/00,301-27/00,301@Z     
5F081 FIハイブリッド  ICH01L27/00;27/01-27/02;27/13     
5F082 部分FバイポーラICH01L27/06-27/06,101@Z;27/07-27/07,101
;27/08-27/082@Z;27/095-27/098;27/118,101
    
5F083 半導体メモリH01L27/10-27/105,441;27/105,448-27/11597リスト再作成(H09)、4M119へ分割(H17)、1990年以降に発行された文献を解析対象としている1990  
5F084 FISOI,アクティブマトリクス、SOSH01L27/12-27/12@Z     
5F086 FI動作に特徴のある半導体H01L29/66-29/66@Z     
5F087 FIダイオードH01L29/86-29/96     
5F088受光素子1(共通事項、放射線検出)(H01L31/00-31/02@Z;31/08-31/08@Z)5F849へ統合(H26) 2014 
5F089フオトカプラ・インタラプタ(H01L31/12-31/12@Z)5F889へ統合(H26) 2014 
5F090FI光ー光変換装置(H01L31/14-31/18)5F8495F889へ統合(H26)  2014 
5F091 FI熱電素子H01L27/16;35/00-37/04     
5F092 ホール/MR素子H01L27/22;29/82-29/82@Z;43/00-43/14FIテーマのFターム化(H17)   
5F093 FIオブシンスキー素子H01L21/62;27/24;45/00-45/02     
5F094 FIガン効果素子H01L27/26;47/00-47/02     
5F095 FI薄膜、厚膜装置H01L49/00-49/02     
5F096 FI有機半導体材料H01L27/28;29/28-29/28,600     
5F097 FI光集積回路H01L27/15-27/15@Z     
5F101 不揮発性半導体メモリH01L29/78,371付与マニュアル修正   
5F102 接合型電界効果トランジスタH01L29/80-29/80@Z旧5F002   
5F103 半導体装置を構成する物質の物理的析出H01L21/203-21/203@Z;21/363    
5F107 FIバンプ電極H01L21/92-21/92,621@Z     
5F110 薄膜トランジスタH01L29/78,611-29/78,627@Zリスト作成(H10)、1989年以降に発行された文献を解析対象としている1989  
5F111 FI縦型MOSトランジスタH01L29/78,651-29/78,658@Z     
5F117 FI半導体装置の製造処理一般H01L21/00-21/16     
5F131 ウエハ等の容器,移送,固着,位置決め等H01L21/68-21/68@Zリスト再作成旧5F031(H23)、1988年以降に発行された文献を解析対象としている1988  
5F136 半導体または固体装置の冷却等H01L23/34-23/46@Zリスト再作成旧5F036(H16)   
5F139 FI耐圧構造H01L29/06,301-29/06,301@Z5F039から分割(H26)    
5F140 部分F絶縁ゲート型電界効果トランジスタH01L29/76;29/78-29/78,301@Zリスト再作成旧5F040(H12)、1991年以降に発行された文献を解析対象としている1991  
5F141LED素子(パッケージ以外)(H01L33/00;33/00@J-33/00@K;33/00@Z-33/00,310)5F041から分割,リスト再作成(H23)、5F241へ変更(H26) 2014 
5F142 LED素子のパッケージH01L33/00@H;33/00@L;33/48-33/645F041から分割,リスト再作成(H23)   
5F146 部分F半導体の露光(電子、イオン線露光を除く)H01L21/30-21/30,531@Z;21/30,561-21/30,579;21/46リスト部分改訂旧5F046(H22)   
5F151 光起電力装置H01L31/04-31/06,600;H02S10/00-10/40;30/00-99/00リスト部分改訂旧5F051(H21)   
5F152 再結晶化技術H01L21/18-21/20;21/34-21/36;21/84リスト再作成旧5F052(H16)   
5F157 半導体の洗浄、乾燥H01L21/304,641-21/304,651@Z5F057から分割(H15)、テーマ名修正(H16)、FIテーマのFターム化(H18)   
5F172 レーザ(2)H01S3/00-3/02;3/04-3/0959;3/098-3/102;
3/105-3/131;3/136-3/213;3/23-4/00
リスト再作成旧5F072(H15)   
5F173 半導体レーザH01S5/00-5/50,630リスト再作成旧5F073(H15)   
5F241 LED素子(パッケージ以外)H01L33/00;33/00@J-33/00@K;33/00@Z-33/46リスト再作成旧5F141(H26)   
5F333   5E333に変更    
5F334   5E334に変更    
5F335   5E335に変更    
5F336   5E336に変更    
5F337   5E337に変更    
5F338   5E338に変更    
5F339   5E339に変更    
5F849 受光素子H01L31/00-31/02@Z;31/08-31/10@Z;31/185F0495F0885F090(一部)統合、リスト再作成(H26)、再解析中  
5F889 フォトカプラ・インタラプタ・光光変換装置H01L31/12-31/16@Z5F0895F090(一部)統合、リスト再作成(H26)   

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作成者 anzenmon
作成日時 2016年7月3日 04:19:49
最終更新者 anzenmon
最終更新日時 2019年5月13日 20:20:25
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